Samsung планирует через два года выпускать флэш-память на 1 ТБ

На проходившей в Гонконге конференции, один из руководителей Samsung рассказал о планах компании по производству чипов флэш-памяти. Так, было отмечено, что в следующем году будет осуществлен переход на поддержку стандарта UFS 3.0, что намного увеличит пропускную способность флэш-памяти.
В данный момент в телефонах бизнес-класса применяется память типа UFS 2.1, которая почти вдвое уступает стандарту 3.0. Используя память нового типа, можно будет добиться пропускной способности в 12 Гбит/с, причем, габаритные размеры чипов останутся на том же уровне. Со следующего года чипы нового типа до 512 ГБ будут доступны для покупки.
Кроме того, стало известно о планах южнокорейского бренда запустить массовое производство однотеррабайтных чипов памяти в 2021 году.