Samsung и IBM разработали революционную технологию распределения транзисторов на кристалле
- AЕсли инженерам Samsung и IBM удастся доработать свою технологию до конца, в будущем нас ожидает резкий скачок энергоэффективности и вычислительных мощностей процессоров. На недавно завершившейся конференции представители компаний показали революционную технологию распределения транзисторов на кристалле.
Суть новшества – это размещение транзисторов перпендикулярно и вертикально на кремниевой подложке, что позволит существенно увеличить нынешние границы производительности процессоров и внести новые идеи в закон Мура.
Если верить расчетам, увеличенный ток сможет уменьшить потери энергии примерно на 85 процентов по сравнению с FinFET-компановкой транзисторов или увеличить быстродействие процессора на 100 процентов. В частности, использование новой технологии позволит заряжать мобильные устройства не чаще одного раза в неделю.
Суть новшества – это размещение транзисторов перпендикулярно и вертикально на кремниевой подложке, что позволит существенно увеличить нынешние границы производительности процессоров и внести новые идеи в закон Мура.
Если верить расчетам, увеличенный ток сможет уменьшить потери энергии примерно на 85 процентов по сравнению с FinFET-компановкой транзисторов или увеличить быстродействие процессора на 100 процентов. В частности, использование новой технологии позволит заряжать мобильные устройства не чаще одного раза в неделю.